-
¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-06-26
- 品牌ST
-
-
-
¥11000.00/台
主要特点: http://www.lihuachina.cn l公司采用MOSFET、IGBT功率器件和独特的变频技术,运行稳定,提供更高的可靠性和耐用性。l
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 台
- 更新时间2013-11-16
- 品牌力华
-
-
-
¥11000.00/台
主要特点: http://www.lihuachina.cn l公司采用MOSFET、IGBT功率器件和独特的变频技术,运行稳定,提供更高的可靠性和耐用性。l
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 台
- 更新时间2013-11-16
- 品牌力华
-
-
-
¥2.00/支
本公司销售日本富士电机元件及模块,有以下类型产品销售:IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。IGBT单管1MBH6
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 50 支
- 更新时间2011-08-03
- 品牌FUJI
-
-
-
¥2.00/只
本公司销售日本富士电机元件及模块,有以下类型产品销售:IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。IGBT单管1MBH6
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 只
- 更新时间2011-08-03
- 品牌FUJI
-
-
-
¥2.00/台
本公司销售日本富士电机元件及模块,有以下类型产品销售:IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。IGBT单管1MBH6
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 台
- 更新时间2011-08-03
- 品牌FUJI
-
-
-
¥2.00/只
本公司销售日本富士电机元件及模块,有以下类型产品销售:IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。IGBT单管1MBH6
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 只
- 更新时间2011-08-03
- 品牌FUJI
-
-
-
¥2.00/平方米
本公司销售日本富士电机元件及模块,有以下类型产品销售:IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。IGBT单管1MBH6
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 平方米
- 更新时间2011-08-03
- 品牌FUJI
-
-
-
¥2.00/平方米
本公司销售日本富士电机元件及模块,有以下类型产品销售:IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。IGBT单管1MBH6
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 平方米
- 更新时间2011-08-03
- 品牌FUJI
-
-
-
¥2.00/只
本公司销售日本富士电机元件及模块,有以下类型产品销售:IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。IGBT单管1MBH6
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 只
- 更新时间2011-08-03
- 品牌FUJI
-
-
-
电议
我公司生产的热锻设备采用MOSFET、IGBT功率器件和独特的变频技术,运行稳定,能够提供更高的可靠性和耐用性。热锻设备的恒定电流
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2017-09-12
- 品牌力牌
-
-
-
电议
我公司生产的热锻设备采用MOSFET、IGBT功率器件和独特的变频技术,运行稳定,能够提供更高的可靠性和耐用性。热锻设备的恒定电流
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2017-09-12
- 品牌力牌
-
-
-
¥1.00/台
产品详细介绍产品说明: 1.采用富士MOSFET管及西门子IGB功率管和独特的第三代逆变技术.2.可调节加热保温过程的功率时间有利于提
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 台
- 更新时间2012-05-24
- 品牌
-
-
-
¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-07-18
- 品牌ST
-
-
-
¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-07-18
- 品牌ST
-
-
-
电议
PMS-3000V型TIGBT静态参数测试系统产品简介功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJ
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 0 件
- 更新时间2024-05-29
- 品牌普赛斯仪表
-
CW
高达3000V/100mA
-
最小分辨率
30uV/10pA
-
电议
简要说明:* 可焊材料:碳钢、普通低合金钢、不锈钢一、采用MOSFET逆变技术,设计先进,电源轻便,节能省电,效率高达85%;二、具
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2011-10-24
- 品牌深圳锐龙
-
-
-
¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-10-23
- 品牌ST
-
-
-
电议
性能说明:采用MOSFET功率场效应开关器件通过先进的 PWM 脉宽调制技术将50Hz的工频逆变为25KHz的高频,再进行降压整流, 输出
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 台
- 更新时间2015-03-28
- 品牌奥菲达
-
-
-
¥120000.00/台
主要特点: http://www.lihuachina.cnl公司采用MOSFET、IGBT功率器件和独特的变频技术,运行稳定,提供更高的可靠性和耐用性。l具
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 台
- 更新时间2013-11-16
- 品牌力华
-
-