意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面向高、低压MOSFET的工艺技术增强了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。
产品的主要特性包括：
击穿电压范围：-500 ~ 1500 V
30多种封装选项，包括1-mm高表面贴装PowerFLAT? 8x8 HV
为650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *区域值（0.029 ?、TO-247封装）
改善了栅极电荷，降低了功耗，满足了当今’极具挑战性的效率要求
面向所选产品线的本征快速体二极管
在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内，意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。
意法半导体的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列产品具有极低的栅电荷（Qg）和出色的输出电容Coss曲线，是谐振型电源（LLC转换器）的理想之选，同时还支持PFC、TTF或反激式硬开关拓扑。与上一代产品（MDmesh II）相比，它大幅降低了栅电荷和开关损耗。高dv/dt稳定性（50 V/ns）让器件即使出现了大电压瞬态（如AC电源线上的噪声和谐波）也能可靠运行。
STF12NK60Z
N-channel 600 V, 0.53 Ohm, 10 A Zener-protected SuperMESH(TM)2 Power MOSFET in a TO-220FP package
NRND
The SuperMESH? series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, specialties is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding application.
Such series complements ST full range of high voltage Power MOSFETs.
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Key Features
Extremely high dv/dt capability
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Very good manufacturing repeatability
400-6352-900
