| 服务项目 | 浏览量4 | 发布时间2022-07-12 |
| 品牌普赛斯仪表 | 所在地湖北 武汉 | 起订未填 |
| 供货总量未填 | 发货3天内发货 | 有效期至长期有效 |
| 单台PW高达12V/1000A，可多台并联 | CW高达3000V/100mA | 最小分辨率30uV/10pA |
PMST半导体参数分析仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。详询一八一四零六六三四七六；该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。
产品特点
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高电压：支持高达3KV高电压测试；
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大电流：支持高达4KA大电流测试；
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高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；
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丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
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配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
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数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
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模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
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可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
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可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
技术指标
PMST半导体参数分析仪应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
普赛斯PMST半导体参数分析仪优势
单台最大3000V输出；
单台最大1000A输出，可并联后最大4000A；
10us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；
400-6352-900