大功率IGBT静态参数测试仪认准武汉生产厂家普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。
大功率IGBT静态参数测试仪简介
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。
产品特点
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高电压：支持高达3KV高电压测试；
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大电流：支持高达4KA大电流测试；
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高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；
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丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
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配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
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数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
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模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
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可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
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可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
技术指标
IGBT静态参数测试系统应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
大功率IGBT静态参数测试仪联系我们：
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