MDSDP110 智能单晶硅差压变送器 采 用美国、德国先进的 MEMS 技术制成 的单晶硅传感器芯片、全球独创的单晶硅 双梁悬浮 式设计，实现了国际领先的高准 确度、超高过压性能优异的稳定性。内嵌 德国信号处理模块，实现静压与温度补偿的 完美结合，可在大范围内的静压和温度变化 下提 供极高的测量精度和长期稳定性。 MDSDP110 智能单晶硅差压（流量） 变送器能准确的测量差压，并把它转换成 4~20mA DC 的输出信号。该变送器可通 过三按键本地操作，或通用手操器、组态 软件操作，在不影 响 4~20mA DC 的输出 信号的同时，进 行显示与组态。
MDSDP100智能差压变送器，用于测量液体、气体或蒸汽 的液位、密度与压力，然后将其转变成4~20mADC的电 流信号输出。可通过三按键本地操作，也可以通过手操器、 modem互相通信，进行参数设定、监控等。
标准规格 以标准零点为基准调校量程，接液部分材质316L、充灌液 为硅油。
性能规格
1.调量程的参考精度
±0.075% (包括从零点开始的线性、滞后性和重复性）
2.零点、量程调校 可通过变送器外壳顶部三按键进行现场调校，亦可通过 手持终端远程调校。
环境温度影响
1.总影响量/28℃（50℉)
▪M1、M2和M3 ±[0.07%量程+0.015%量程上限]
▪M4、M5和M6 ±[0.07%量程+0.03%量程上限]
2.静压影响
▪M1和M2膜盒 ±[0.07%量程+0.028%量程上限]/6.9MPa
▪M3和M4膜盒 ±[0.07%量程+0.028%量程上限]/6.9MPa
▪M5和M6膜盒 ±[0.07%量程+0.028%量程上限]/6.9MPa
3.过压影响 ±0.05%量程上限/16MPa
4.稳定性
▪M1、M2和M3 ±0.05%量程上限/12个月
▪M4、M5和M6 ±0.05%量程上限/12个月
5.电源影响
±0.005%/V
安装位置影响
与膜片面平行方向的安装位置变化不会造成零漂响，若安 装位置与膜片面超过90°的变化，在0.4KPa(1.6inH2O)范 围内的零漂可通过调零校正。
输 出
2 线制，4~20mADC输出，HART数字通讯，可选择线性 或平方根输出方式。
HART协议加载在4~20mADC信号上。
饱和&报警电流
1.饱和电流
▪上限输出: 20.8mA
▪下限输出: 3.8mA
2.报警电流
▪上限输出: 22.8mA
▪下限输出: 3.6mA (模式可设置）
阻尼时间常数
总阻尼时间常数等于放大器部件和膜盒的阻尼时间常数之 和。时间常数可在0~99.9s内调整。
环境温度
-40~+85℃
-20~+70℃（带液晶显示表头）
工作压力(硅油）
膜盒 额定工作压力
M1 25MPa
M2 25MPa
M3 25MPa
M4 25MPa
M5 25MPa
M6 25MPa
