一、设备主要技术指标
1.1、激光器：半导体激光器
1.2、泵浦方式：半导体泵浦
1.3、激光波长：1064 nm
1.4、激光模式：低阶模
1.5、激光输出最大功率：50 W
1.6、激光调制方式：声光调制
1.7、激光脉冲频率：200Hz～50kHz连续可调
1.8、最大划片速度：120 mm/s
1.9、划片线宽：50 um
1.10、划片厚度：500 um
1.11、加工范围：320×320 mm
1.12、工作台重复精度：±10μm
1.13、恒温冷却系统温控精度±0.5℃
1.14、平均正常运行时间（Average）93%
1.15、使用电源：380V（或220V）/ 50 Hz / 3kVA
