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特点
绝缘衬底
高隔离电压（“2500V型）
鈭优良的热传递
鈭温度升高和权力
循环能力
艾赛斯先进张：MOS工艺
低栅极电荷和电容
鈭容易驾驶
鈭更快的开关
低RDS（ON）
很低的插入电感“（<2nH）
无铍氧化物（氧化铍）或其他
有害物质
优势
高性能射频张：MOSTM
优化的RF和高速
切换到100MHz的频率
共同的来源射频包
易于安装鈥拢Ø绝缘子需要
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