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100贴片电感

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基本参数
服务项目 浏览量1 发布时间2017-05-18
品牌风华高科 所在地广东 深圳 起订≥1 件
供货总量未填 发货0天内发货 有效期至2025-03-09
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详细说明


  贴片电感,又称为:功率电感,大电流电感。片式电感器主要有4种类型,即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。常用的是绕线式和叠层式两种类型。前者是传统绕线电感器小型 化的产物;后者则采用多层印刷技术和叠层生产工艺制作,体积比绕线型片式电感器还要小,是电感元件领域重点开发的产品。


1.绕线型


  它的特点是电感量范围广(mH~H),电感量精度高,损耗小(即Q大),容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等,但不足之处是在进一步小型化方 面受到限制。陶瓷为芯的绕线型片电感器在这样高的频率能够保持稳定的电感量和相当高的Q值,因而在高频回路中占据一席之地。   TDK的NL系列电感为绕线型,0.01~100uH,精度5%,高Q值,可以满足一般需求。   NLC型 适用于电源电路,额定电流可达300mA;NLV型为 高Q值,环保(再造塑料),可与NL互换;NLFC 有磁屏,适用于电源线。


2.叠层型


  它具有良好的磁屏蔽性、烧结密度高、机械强度好。不足之处是合格率低、成本高、电感量较小、Q值低。


  它与绕线片式电感器相比有诸多优点:尺寸小,有利于电路的小型化,磁路封闭,不会干扰周围的元器件,也不会受临近元器件的干扰,有利于元器件的高密度安装;一体化结构,可靠性高;耐热性、可焊性好;形状规整,适合于自动化表面安装生产。     TDK的MLK型电感,尺寸小,可焊性好,有磁屏,采用高密度设计,单片式结构,可靠性高;MLG型的感值小,采用高频陶瓷,适用于高频电路;MLK型工作频率12GHz,高Q,低感值(1n~22nH)


3.薄膜片式


  具有在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性。其内电极集中于同一层面,磁场分布集中,能确保装贴后的器件参数变化不大,在100MHz以上呈现良好的频率特性。


4.编织型


  特点是在1MHz下的单位体积电感量比其它片式电感器大、体积小、容易安装在基片上。用作功率处理的微型磁性元件。



 在电子设备的 PCB 板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括贴片电感和贴片磁珠,以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻抗值,载流能力以及其他类似物理特性不同外,通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。在需要使用贴片电感的场合,要求电感实现以下两个基本功能:电路谐振和扼流电抗。谐 振电路包括谐振发生电路,振荡电路,时钟电路,脉冲电路,波形发生电路等等。谐振电路还包括高Q带通滤波器电路。


 要使电路产生谐振,必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容,这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中,电感必须具有高Q,窄的电感偏差,稳定的温度系数,才能达到谐振电路窄带,低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及贴片电感的差异仅仅在于封装不一样。


 电感结构包括介质材料(通常为氧化铝陶瓷材料)上绕制线圈,或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合,作为扼流圈使用时,电感的主要参数是直流电阻(DCR),额定电流,和低Q值。当作为滤波器使用时,希望宽的带宽特性,因此,并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证zui小的电压降,DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。




关于贴片电感的封装的区别


  贴片电感封装有分带屏蔽和不带屏蔽的!扁平的、工字型的一般是不带屏蔽的!方形全封闭的即为带屏蔽的!


  屏蔽贴片电感与一般的贴片电感作用不一样,一般的贴片电感在电路中是不带屏蔽的,使用起来了在电路中电感起不到想要的效果,屏蔽贴片电感能够屏蔽掉一些电路中电流的不稳定性,很好的起到阻隔的作用,屏蔽电感完整的金属屏蔽体将带正电导体包围起来,在屏蔽体的内侧将感应出与带电导体等量的负电荷,外侧出现与带电导体等量的正电荷,如果将金属屏蔽体接地,则外侧的正电荷将流入大地,外侧将不会有电场存在,即带正电导体的电场被屏蔽在金属屏蔽体内。


  屏蔽电感在电路中还起到了耦合的作用,屏蔽贴片电感为降低交变电场对敏感电路的耦合干扰电压,电感可以在干扰源和敏感电路之间设置导电性好的金属屏蔽体,并将金属屏蔽体接地。交变电场对敏感电路的耦合干扰电压大小取决于交变电场电压、耦合电容和金属屏蔽体接地电阻之积。只要设法使金属屏蔽体良好接地,就能使交变电场对敏感电路的耦合干扰电压变得很小。电场屏蔽以反射为主,因此屏蔽体的厚度不必过大,而以结构强度为主要考虑因素。


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