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¥8800.00/台
主要特点: http://www.lihuachina.cnl公司采用MOSFET、IGBT功率器件和独特的变频技术,运行稳定,提供更高的可靠性和耐用性。l具
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 台
- 更新时间2013-11-16
- 品牌力华
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电议
产品简介 功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 0 件
- 更新时间2024-05-29
- 品牌普赛斯仪表
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集电极-发射极 最大电压
3000V
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栅极-发射极 最大电压
300V
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电议
产品特点一、采用MOSFET逆变技术,设计先进,电源轻便,节能省电;二、具有自动补偿弧长功能,电弧稳定,飞溅小,电弧穿透力强,
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2014-05-19
- 品牌博世BOSCH
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电议
我公司生产的热锻设备采用MOSFET、IGBT功率器件和独特的变频技术,运行稳定,能够提供更高的可靠性和耐用性。热锻设备的恒定电流
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2017-09-12
- 品牌力牌
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电议
产品简介半导体功率器件测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 0 件
- 更新时间2024-05-29
- 品牌普赛斯仪表
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CW
高达3000V/100mA
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最小分辨率
30uV/10pA
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电议
LITEON光宝,代理,MOSFET,可控硅,SIDAC,TSPD,TVS,ESD保护器件,整流器,桥堆,快恢复二极管,肖特基二极管,三极管,liteon,光宝,nxp,恩
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2011-10-28
- 品牌LITEON
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电议
简要说明:* 可焊材料:碳钢、普通低合金钢、不锈钢一、采用MOSFET逆变技术,设计先进,电源轻便,节能省电,效率高达85%;二、具
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2011-11-07
- 品牌深圳锐龙
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电议
简要说明:* 可焊材料:碳钢、普通低合金钢、不锈钢一、采用MOSFET逆变技术,设计先进,电源轻便,节能省电,效率高达85%;二、具
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2011-11-24
- 品牌深圳锐龙
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电议
产品介绍开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成,是维持稳定输出电压的一种电源。产品属性烟台丰正商贸有限公司
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-10-14
- 品牌丰正
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¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-10-23
- 品牌ST
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¥1.00/PCS
一、概述DW06D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW06D包括了先进的功率MOSFET,高精度的电压检测
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 PCS
- 更新时间2018-04-25
- 品牌中广芯源
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电议
半导体IV曲线图示仪集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 0 件
- 更新时间2024-05-29
- 品牌普赛斯仪表
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单台PW
高达12V/1000A,可多台并联
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CW
高达3000V/100mA
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电议
简要说明:* 可焊材料:碳钢、普通低合金钢、不锈钢一、采用MOSFET逆变技术,设计先进,电源轻便,节能省电,效率高达85%;二、具
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 件
- 更新时间2011-11-24
- 品牌深圳锐龙
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¥1.00/个
D1D07 CRYDOM D1D07 系列1-DC D1D D5D系列固态继电器; MOSFET输出 额定值从7A,40A @ 200 VDC,7A,10A @ 500 V
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 个
- 更新时间2013-11-01
- 品牌CRYDOM
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¥1.00/个
D1D40 CRYDOM D1D40 系列1-DC D1D D5D系列固态继电器; MOSFET输出 额定值从7A,40A @ 200 VDC,7A,10A @ 500 V
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 个
- 更新时间2013-11-01
- 品牌CRYDOM
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¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-10-23
- 品牌ST
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¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-10-23
- 品牌ST
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¥1.00/个
D5D10 CRYDOM D5D10 系列1-DC D1D D5D系列固态继电器; MOSFET输出 额定值从7A,40A @ 200 VDC,7A,10A @ 500 V
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 10 个
- 更新时间2013-11-01
- 品牌CRYDOM
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¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-10-23
- 品牌ST
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¥1.00/普通
意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
- 供货总量大量
- 最少起订≥ 1 普通
- 更新时间2013-08-20
- 品牌ST
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