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STF15NM65N
  • STF15NM65N
  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-09-26 15:12  [广东深圳]
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STP10NK70Z
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-06-26 15:34  [广东深圳]
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STP10NK70Z
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 11:05  [广东深圳]
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STF13NK50Z
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 13:18  [广东深圳]
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STF14NM65N
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 12:34  [广东深圳]
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STF12NK65Z
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 16:08  [广东深圳]
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STF12NK80Z
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 16:24  [广东深圳]
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STF13NM60N
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 13:02  [广东深圳]
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STF15NM60N
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  • 2013-10-23 12:47  [广东深圳]
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STF12NM50N
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 16:19  [广东深圳]
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STF14NM50N
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  • 2013-10-23 13:21  [广东深圳]
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STF12NK60Z
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  • 2013-10-23 13:34  [广东深圳]
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STF10NM65N
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  • 意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面
  • 2013-10-23 17:27  [广东深圳]
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STF11NM50N
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  • 2013-10-23 23:34  [广东深圳]
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STF11NM60N
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  • 2013-10-23 13:27  [广东深圳]
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STF10NM50N
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  • 2013-10-23 17:31  [广东深圳]
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STF10NM60N
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  • 2013-10-23 17:51  [广东深圳]
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STF10NM60N
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  • 2013-10-23 17:46  [广东深圳]
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  • 2013-07-18 10:47  [广东深圳]
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